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MOCVD技術當前的趨勢與未來前景

來源:LED環(huán)球在線 更新日期:2010-10-19 作者:佚名

    眾所周知,今年,中國LED企業(yè)在上游芯片領域動作層出不窮,紛紛啟動了建廠、擴廠計劃。據(jù)悉,中國購買MOCVD的訂單已經(jīng)排到三年之后。業(yè)內專家認為,隨著未來大量的MOCVD投產,芯片價格會下降,這對產業(yè)是利好消息,但是哪個企業(yè)最終搶占商機,人才是最關鍵的因素。買來的MOCVD質量如何?型號是否先進?下一代的MOCVD技術的趨勢是什么?這些都是企業(yè)應該思考的問題,也能從MichaEL Heuken的報告中得到很多啟示。

    Michael Heuken首先對未來的半導體照明市場進行了預測,他認為從2009年到2014年,半導體照明市場將會保持年增長率31%的速度,這將大大推動半導體照明技術的發(fā)展。大尺寸襯底是未來發(fā)展趨勢,因為它符合價格降低、提高產能、高程度自動化及最大程度利用硅襯底的需求。目前2英寸和4英寸還是市場主流,但是有些公司已經(jīng)開始考慮6英寸,甚至開始著手做8英寸的設計。據(jù)Michael Heuken介紹,Aixtron公司的Crius 200mm/300mm MOCVD系統(tǒng)能夠在大尺寸的襯底上外延,并保持良好的厚度和波長均勻性。

    Michael Heuken認為溫度管理非常重要,他說,“對外延技術而言有三個非常關鍵的指標,第一個是溫度,第二個是溫度,第三個還是溫度”,溫度管理可以幫助加強統(tǒng)一性,也可以對比較大直徑的晶片做更好的控制。

    未來可能和LED技術融合的技術包括Si基技術和GaN量子線技術。

    此外,Michael Heuken還介紹了Aixtron新開發(fā)的G5 HT設備,它能夠滿足56x2 inch / 14x4 inch / 8x6 inch / 5x8 inch的外延需求。G5 HT在600 mbar以上的高壓下能以極高的速率完成高質量的氮化鎵沉淀,相比G4 HT產能可提升33%.

 標簽:半導體 技術介紹
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