7月21日,國星光電對外發布關于取得發明專利證書的公告,公告稱,公司于近日取得一項發明專利,并獲得了由國家知識產權局頒發的專利證書。
據悉,該項專利的名稱為用于在晶圓級封裝中暴露電極的方法及掩膜版,專利是申請日為2012 年 06 月 13 日,授權日為2015 年 6 月 17 日,有效期為20年。
國星光電表示,該專利的專利權人為公司。此項專利的取得不會對公司生產經營產生重大影響,但有利于保護和發揮公司自主知識產權優勢,形成持續創新機制,保持技術領先地位,提升公司的核心競爭力。
7月21日,國星光電對外發布關于取得發明專利證書的公告,公告稱,公司于近日取得一項發明專利,并獲得了由國家知識產權局頒發的專利證書。
據悉,該項專利的名稱為用于在晶圓級封裝中暴露電極的方法及掩膜版,專利是申請日為2012 年 06 月 13 日,授權日為2015 年 6 月 17 日,有效期為20年。
國星光電表示,該專利的專利權人為公司。此項專利的取得不會對公司生產經營產生重大影響,但有利于保護和發揮公司自主知識產權優勢,形成持續創新機制,保持技術領先地位,提升公司的核心競爭力。