在顯示技術領域，Micro LED和Mini LED是近年十分火熱的兩個概念，它們賦予了LED更多應用的可能性，可往如電視、顯示器、車載顯示等需要更高分辨率的應用場景延伸，市場前景廣闊，潛力強勁。

    Mini LED顯示

    像素點間距在0.3-1.0mm之間，采用普通或巨量轉移方式將正裝/倒裝芯片轉移到基板上生成顯示產品。

    Micro LED顯示

    像素點間距≤0.3mm，采用巨量轉移技術將倒裝芯片/垂直芯片鍵合到TFT玻璃背板或CMOS背板上生成顯示產品。

    在應用市場方面，Mini LED目前主要應用在大尺寸電視顯示上，在小尺寸顯示應用的超高清顯示，Mini LED較難突破技術極限，Micro LED應運而生。

    據LEDinside在2019年的報告中指出，Micro LED各項功能性指標（PPI、亮度、功耗、薄度等）均表現優異，未來成長空間巨大，市場規模有望達到300-400億美元。

    01 四大挑戰Micro LED顯示產業化前行受阻—

    Micro LED前景雖可期，但現階段的技術尚不到位。由于Micro LED需要處理極高數量與極小尺寸的芯片，在其顯示封裝技術與產業化面臨多項挑戰：

    結構設計

    傳統分立器件貼裝結構，除我司獨有的IMD封裝技術外，其他均難以達到P0.X要求，超薄、超高清等顯示要求對Micro LED顯示封裝結構提出新挑戰；

    工藝開發

    Micro LED顯示制造技術從實現路徑到成本良率面臨諸多挑戰，包括芯片制造、巨量轉移與鍵合、全彩化顯示等技術難題；

    可靠性

    Micro LED顯示屏用器件劇增，巨量集成導致焊接、封裝質量和壞點維修難度大；

    系統集成

    系統關鍵技術指標暫無統一規范的指導標準，Micro LED顯示暫無豐富內容和終端支持。

    02 持續創新

    國星Micro LED領域再獲突破—

    打破Micro LED關鍵技術難點，需要開發適合Micro LED的工藝技術路線，并有新材料、新設備配套支持。國星光電作為國內知名封裝龍頭，一直高度關注Micro LED顯示技術的進展，堅持自主創新，協同產業鏈各環節，力克技術難關，積極投入技術研發和產品布局。

    今年6月，國星第一代Micro LED顯示新品 nStarⅠ正式面世，采用玻璃基板工藝，具備更高精度，更高透過率的優勢；采用RGB芯片巨量轉移技術，色域大于100%NTSC，使全彩化顯示更真實；采用一體式超薄封裝技術，可兼顧散熱與顯示一致性；同時具備更低能耗與更高可靠性的優勢，實現被動式驅動Micro LED全彩顯示屏。

國星Micro LED顯示新品 nStar Ⅰ

    11月25日，國星光電研究院主任工程師章金惠博士應邀出席第十七屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA2020）暨2020國際第三代半導體論壇（IFWS2020），并在論壇的“Mini/Micro-LED與其它新型顯示技術分會”上分享了《從Mini到Micro LED技術演變的思考、問題及進展》主題報告，為大家詳細介紹了國星Micro LED技術的最新進展。

    目前，國星光電在Micro LED領域已實現了較大的技術突破，在第一代Micro LED顯示屏的基礎上，已與面板廠合作開發出基于TFT玻璃背板的主動式驅動Micro LED全彩顯示屏。近日，采用自主研發的巨量轉移技術，已經初步實現250PPI以上紅/綠/藍單色轉移鍵合點亮。

    預計明年將實現P0.1以下的主動式驅動全彩顯示及P0.0x以下的被動式驅動單色顯示，未來可滲透在4k/8k大尺寸電視顯示屏、車載顯示屏、穿戴設備顯示設備、AR/VR等應用市場。

國星光電Micro LED Roadmap

    03  迸發力量

    國星創新平臺開放合作共攻難題—

    一直以來，國星光電始終積極布局新型微顯示賽道，以先進技術領先行業。目前已成立國星研究院、微顯示企業重點實驗室、Micro＆Mini LED研究中心三大創新科研平臺，通過開放合作的模式，加強與學術界及產業界協作，聯手產業鏈上中下游各個環節，集中優勢資源攻克微顯示行業技術性難題，合力打破技術發展瓶頸，并積極研發定制化、先進的LED顯示封裝解決方案，推動科研技術成果孵化，共同推進Micro LED產業化，實現共贏。

    今年，廣東省半導體微顯示企業重點實驗室和國星光電研究院正式揭牌

    接下來，國星光電將繼續聯動創新科研力量，始終堅持技術創新戰略部署，以硬核的研發實力和領先的技術儲備為市場提供更全更優的微型顯示封裝技術方案，力推新型顯示產業發展壯大！