國星光電近日在互動(dòng)平臺(tái)上表示，目前公司已在巨量轉(zhuǎn)移、共晶鍵合、量子點(diǎn)全彩化、檢測修復(fù)、高可靠性封裝等Micro LED領(lǐng)域多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)上取得突破，Mini/Micro LED領(lǐng)域已申請發(fā)明專利100余件。

    國星光電指出，公司最新推出第二代Micro LED新品——nStar Ⅱ，像素間距300微米（P0.3），實(shí)現(xiàn)了8bit（256灰階）色深的顯示效果，同時(shí)在巨量轉(zhuǎn)移及巨量鍵合上獲得突破，其綜合良率達(dá)99.99% ，未來有望在大尺寸拼接智慧屏等高清顯示產(chǎn)品中獲得廣泛應(yīng)用。接下來，國星光電布局深耕新型微顯示賽道，不斷開發(fā)新品提升產(chǎn)品性能，在玻璃基Micro LED技術(shù)路線方面，將重點(diǎn)布局高端智慧屏、車載顯示屏和智能手表；在硅基Micro LED技術(shù)路線方面，重點(diǎn)布局AR顯示領(lǐng)域。

    據(jù)悉，國星光電MiniLED背光源系列產(chǎn)品在亮度、對比度、光學(xué)厚度、色域等性能方面大大超越常規(guī)直下式背光源產(chǎn)品，為電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、平板電腦、車載顯示屏等多種顯示終端提供精密的光學(xué)布局，可實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)背光控制。