2月10日，蘇州東微半導體股份有限公司在上海證券交易所上市，日前發布了首次公開發行股票并在科創板上市發行結果公告。

    公開資料顯示，東微半導是一家以高性能功率器件研發與銷售為主的技術驅動型半導體企業，其產品專注于工業及汽車相關等中大功率應用領域。

    本次公開發行的股票數量約為1684.41萬股，本次公開發行后的總股本為約6737.64萬股，發行價格為130元/股，對應市盈率為429.3倍，本次發行募集資金總額約21.9億元。

    專注工業及汽車市場

    近年來，碳中和、碳達峰、新能源汽車、5G和云計算等新技術應用需求迎來了爆發性增長，而功率半導體是在上述應用中實現電能轉換的核心基礎元器件。公開信息顯示，東微半導的業務大多來自于工業級和汽車相關應用。

    資料顯示，東微半導的主要營業構成為各類工業通信電源、新能源汽車充電樁、大功率照明電源、逆變器、電池保護、消費電子設備，和顯示器電源等。

    業內周知，相對于消費電子市場，工業及汽車市場對芯片的性能和品質要求更高，存在著較高的技術壁壘。在功率器件領域，應用于新能源汽車的芯片基本被進口芯片品牌壟斷，僅極少數國內芯片供應商能夠進入上述領域，而東微半導便是其中的佼佼者。經過多年驗證，2021年公司產品開始批量進入比亞迪新能源車，成功進軍車載芯片市場。

    2021年度預計營收同比增150%至160%

    招股書披露，東微半導預計2021年度營業收入為7.72億元至8.03億元，同比增長150%至160%；預計2021年度歸屬于母公司所有者的凈利潤為1.32億元至1.53億元，同比增長377%至453%；預計2021年度扣非后的凈利潤為1.27億元至1.47億元，同比增長522%至620%。2021年公司業績暴增的主要原因是受益新能源汽車充電樁、通信電源以及光伏逆變器的需求暴增。

    招股書顯示，截至2021年6月30日東微半導的研發人員占比46%，按其員工數推算，預計人均產值超過1000萬元，屬于典型的技術密集型芯片設計高科技公司。

    王牌產品性能優于國際同行

    東微半導的眾多技術亮點，包括國際領先的超級結 MOSFET、超級硅MOSFET技術、業內獨創的Tri-gate IGBT技術以及Hybrid-FET器件技術等。

    據了解，高壓超級結MOSFET是東微半導的王牌產品，也是其功率分立器件領域中占比最大的產品，高壓超級結MOSFET器件具有高頻、易驅動、功率密度高等特點，應用領域非常廣泛，涵蓋通信、汽車電子、工業控制、光伏、儲能、智能電網、消費電子等領域。

    不過，長期以來，高壓超級結MOSFET市場主要被進口廠商占據，國內高性能高壓超級結MOSFET功率器件市場占比較小。在此情況下，東微半導自成立以來積極投入對高壓超級結MOSFET產品的研發，并得到了華為、比亞迪、特銳德、通用電氣、視源股份、英飛源、英可瑞、高斯寶、金升陽、雷能、美的、創維、康佳等全球知名客戶的認可，取得良好的市場口碑。

    2016年4月14日，人民日報刊登了東微半導的高壓超級結MOSFET在充電樁用高壓高速核心半導體器件領域首次實現國產化的報道，確定了東微半導在充電樁功率器件領域“國產第 一芯”的地位。

    隨著“碳中和”、“碳達峰”的火熱討論，綠色用電、高效發電顯得至關重要，而新能源汽車、5G等新技術應用更是加速了第三代半導體產業化需求，在此背景下，業內人士紛紛認為，具備可提升能源轉換效率特點的第三代半導體產業將進入發展快車道。