2022年北京冬奧會開幕式上，LED顯示屏的大規模應用，再度引發了全球對LED顯示技術的高度關注。事實上，早在業內，LED顯示技術的未來屬于微間距幾乎已成共識。而伴隨行業朝向微間距時代推進，LED顯示的應用領域逐步拓展，隨之而來的問題就是，如何解決微間距LED顯示的規模化量產和商業化應用。

    由于微米級Micro LED的制備已經脫離常規LED工藝而進入IC制程，而大尺寸硅襯底氮化鎵（GaN）晶圓具有低成本、兼容IC制程、易于襯底剝離等優勢，因此已成為Micro LED制備的主流技術路線。當前，包括Aledia、Plessey、ALLOS 、STRATACACHE等在內的許多公司都在專注于硅襯底Micro LED的開發。

    Micro LED的規模化應用必定要基于高良率和高光效的紅綠藍三基色Micro LED芯片。當前綠光和藍光氮化鎵材料體系已經成熟，并可滿足Micro LED制程開發需求。但紅光方面，傳統的紅光磷化鋁銦鎵（AlInGaP）體系由于材料較脆且側壁非輻射復合嚴重，因而在良率和光效方面仍面臨重大技術瓶頸。因此，開發基于大尺寸硅襯底的高效紅光氮化鎵芯片，就成為當前破解Micro LED規模量產的首要問題。

    正因如此，近年來，許多公司相繼加大了在紅光氮化鎵領域的研發投入，并陸續有相關研發成果問世。譬如，2021年9月，晶能光電宣布已成功制備紅、綠、藍三基色硅襯底氮化鎵基Micro LED陣列，像素點間距為25微米，像素密度為1000PPI，在10A/cm2電流密度下的峰值波長分別為650nm、531nm、和445nm。InGaN紅光芯片的外量子效率（36mil，650nm峰值波長）為3.5%，EL的半高寬為70nm。

Porotech于2021年推出的0.55英寸紅光氮化鎵Micro LED顯示器

    同年10月，多孔氮化鎵材料平臺開發商Porotech公司（由劍橋大學拆分出來）宣布，開發出全球首款基于原生紅光氮化鎵（InGaN）LED的Micro LED微型顯示器。其具有0.55英寸對角線面板，分辨率為960×540。Porotech表示，其能夠提供比目前使用的磷化鋁銦鎵（AlInGaP）紅光LED更高的效率。用氮化鎵芯片開發RGB微型顯示器還將提供更容易的驅動和工藝設計。就在日前，Porotech再度宣布在A輪融資中籌集了2000萬美元，用于旗下Micro LED產品的大規模生產及品牌全球影響力的提升。

    國內方面，同樣在2021年，AET阿爾泰在9月舉辦的2022新品發布會期間透露，公司自主研發的100微米RGB 3D LED芯片即將實現量產，同樣是自研的氮化鎵紅光芯片也已成功點亮。同時，公司在標準控制架構、全新光電材料研發、標準架構下控制IC和驅動IC研發與傳輸協議的標準化、新封裝技術的開發等諸多層面，為Micro LED的商業化應用同步推進。

    在顯示科技領域，重大技術節點的推進往往都與材料科學的進展密不可分。在以Micro LED為代表的微間距顯示未來規模巨大的市場機遇（可能是千億級，甚至是萬億級）面前，全球企業都在加緊以紅光氮化鎵為代表的新材料、新技術路線的開發和優化。伴隨研發進程的逐步推動，2022年微間距的規模量產和商業化應用也有望迎來新的突破。