杭州士蘭微電子股份有限公司預計 2024 年度實現歸母凈利潤為 15,000 萬元到 19,000 萬元，與上年同期相比，將實現扭虧為盈。預計 2024 年度實現扣非凈利潤為 18,400 萬元到 22,400 萬元，與上年同期相比，將增加 12,510 萬元到 16,510萬元，同比增加 212.39%到 280.31%。

    2023年，士蘭微實現歸母凈利潤虧損3,578.58 萬元，扣非凈利潤5,889.92 萬元。

    本期業績變動的主要原因

    （一）報告期內，面對市場競爭加劇的壓力，公司通過持續推出富有競爭力的產品，持續加大對大型白電、通訊、工業、新能源、汽車等高門檻市場的拓展力度，加快產品結構調整的步伐。在電源管理芯片、IGBT 器件、IPM 智能功率模塊、PIM 功率模塊、碳化硅 MOSFET 器件、超結 MOSFET 器件、MEMS 傳感器、MCU 電路、SOC 電路、快恢復管、TVS 管、穩壓管等產品出貨量增長的帶動下，公司總體營收保持了較快的增長勢頭。

    （二）報告期內，公司子公司士蘭集成 5、6 吋芯片生產線、子公司士蘭集昕8吋芯片生產線、重要參股企業士蘭集科12吋芯片生產線均實現滿負荷生產。

    公司已安排技改資金進一步提升 8 吋線 MEMS 芯片產能、12 吋線 IGBT 芯片和模擬電路芯片產能。公司預計 2025 年 5、6、8、12 吋芯片生產線將繼續保持較高的產出水平。

    報告期內，公司子公司成都士蘭、成都集佳功率模塊和功率器件封裝生產線實現了滿負荷生產，公司根據市場需求已安排了多輪產能擴充項目。
報告期內，公司加快子公司士蘭明鎵 6 吋 SiC 芯片生產線產能建設，目前士蘭明鎵已具備月產 0.9萬片 SiC MOSFET 芯片的生產能力。公司已完成了第Ⅲ代、第Ⅳ代平面柵 SiC MOSFET 芯片的開發，性能指標達到業內同類器件結構的先進水平。基于公司Ⅱ代 SiC MOSFET 芯片生產的電動汽車主電機驅動模塊，已實現向下游汽車用戶批量供貨；基于公司Ⅳ代 SiC MOSFET 芯片生產的電動汽車主電機驅動模塊已在客戶端驗證，預計 2025 年實現批量供貨。

    報告期內，公司在廈門加快建設一條以 SiC MOSFET 為主要產品的 8 英寸SiC 功率器件芯片制造生產線，項目一期投資規模 70 億元，規劃產能 3.5 萬片/月，預計 2025 年年底實現初步通線。

    報告期內，公司完成了杭州、廈門兩地 LED 芯片生產線的整合。整合后的LED 芯片生產線的生產能力已達到 14-15 萬片/月。公司通過對 LED 芯片生產線技術改造，較大提升了 mini-LED 芯片的生產能力。

    （三）報告期內，公司在積極擴大芯片生產線和封裝生產線產出能力的同時，持續開展了各主要環節成本費用控制、管理效率提升等活動，目前已取得了積極成效。四季度，公司產品綜合毛利率較三季度已有所回升。隨著上述活動的持續深入進行，預計 2025 年公司產品綜合毛利率水平將進一步改善。
（四）經過二十多年的發展，公司已成為目前國內領先的 IDM 公司。作為IDM 公司，公司帶有資產相對偏重的特征，在外部經濟周期變化的壓力下，也會在一定程度上承受經營利潤波動的壓力。但是相較于輕資產型的 Fabless 設計公司，公司在特色工藝和產品的研發上具有更突出的競爭優勢：實現了特色工藝技術與產品研發的緊密互動，以及集成電路、功率器件、功率模塊、MEMS 傳感器、光電器件和第三代化合物半導體芯片的協同發展；公司依托 IDM 模式形成的設計與工藝相結合的綜合實力，加快提升產品品質、加強控制成本，向客戶提供高質量、高性價比的產品與服務，可滿足下游整機（整車）用戶多樣化需求，具有較強的市場競爭能力。2024 年全年，公司電路和器件成品的銷售收入中，已有超過 75%的收入來自大型白電、通訊、工業、新能源、汽車等高門檻市場。

    當前，在國家政策持續支持，以及下游電動汽車、新能源、算力和通訊等行業快速發展、芯片國產替代進程明顯加快的大背景下，士蘭微電子迎來了較快發展的新階段。士蘭微電子將持續推動滿足車規級和工業級要求的器件和電路在各生產線上量，持續推動士蘭微整體營收的較快成長和經營效益的提升。